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SanDisk閃迪發布全球首款48層3D NAND芯片

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BiCS是一個非易失性存儲器架構,旨在為基于閃存的設備提供更高的存儲密度、可擴展性和性能。與常規的2D NAND相比,BiCS NAND存儲器還將具備更好的寫/擦耐久力、更快的寫入速度和更高的能效。

全球領先的閃存存儲解決方案提供商SanDisk閃迪公司(納斯達克交易代碼:SNDK)今日發布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48層3D NAND芯片,并攜手其合作伙伴東芝公司在日本四日市啟動3D NAND試產線。

SanDisk閃迪公司執行副總裁、主管存儲技術的Siva Sivaram博士表示:“我們很高興地宣布我們首款量產3D NAND芯片的發布。它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片,采用我們業內領先的48層BiCS技術1開發,展現了SanDisk閃迪在X3技術領域的持續領先地位。我們將基于該芯片,為我們的客戶交付卓越的存儲解決方案。”

BiCS是一個非易失性存儲器架構,旨在為基于閃存的設備提供更高的存儲密度、可擴展性和性能。與常規的2D NAND相比,BiCS NAND存儲器還將具備更好的寫/擦耐久力、更快的寫入速度和更高的能效。

SanDisk閃迪的256 GB X3 BiCS芯片可廣泛應用于各類消費者、客戶端、移動和企業級產品,預計將于2016年開始應用于SanDisk閃迪的產品中。

責任編輯:路途 來源: SanDisk閃迪
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