展望2017存儲“芯”發展 DRAM與NAND將持續漲價
在即將過去的2016年，半導體行業風起云涌，經歷多次并購案的半導體行業依舊活力十足，無論是誰都信心滿滿的期待著來年。高通并購恩智浦、軟銀收購ARM等事件都足夠讓人瞠目，除了半導體代工和架構設計之外，DRAM市場和NAND市場的劇情同樣跌宕起伏。在6月份，三星由于位于西安的工廠外變電站爆炸事故，造成設備受損，全球的3D NAND芯片出現了供貨緊張的問題。
市場需求劇增，產能不足
而在筆者了解到的信息中，全球***的固態硬盤制造商建興在今年9月份就開始出現供不應求的狀況，而且一直持續到年底。2016年的NAND Flash市場除了缺貨之外還是缺貨，這讓很多人對NAND產能產生了極大的疑問，難道就沒有產商考慮增加產能嗎?其實在今年年初，三星確實有考慮要加大NAND Flash的產能，不過在當時，手機市場處于飽和狀態，而消費級PC市場需求也并不大，三星再三權衡之后選擇了停止擴建計劃。在下半年手機市場的出貨趨于穩定的狀態下，固態硬盤需求增加，加之三星西安工廠外變壓器爆炸影響，內存和固態硬盤零售價出現了大幅度上揚的情況。其中內存漲幅將近50%，固態硬盤同樣漲價不少。
NAND Flash的需求不斷擴大，美光公司執行長德肯先生對此信心滿滿，他對2017年的DRAM、NAND市場非常看好。除了市場需求增大之外，美光的另外一個好消息就是他們的3D NAND閃存在今年底開始大量投產了。美光***代3D NAND在成本符合美光的預期;而第二代也達到了64層堆棧，在近期大規模生產，美光能否奪回失去的市場就讓我們拭目以待吧。在十一月份，三星向其客戶展示了10nm DRAM芯片，在本月中，SK海力士有了回應，SK海力士表示計劃在明年開始量產10nm制程的DRAM芯片，業界內有消息稱SK海力士的10nm晶圓已經完成制樣，正在進行可靠性認證。
雖然在下半年，各大廠商不斷的加強新技術研發以及將產能開足，不過依舊難以緩解NAND芯片和DRAM芯片的供需，2017年還將會持續處于緊張的狀態。存儲器行業研究公司集邦科技的研究報告顯示，2017年的NAND Flash產能將會增加6%，不過價格會處于穩步上揚的狀態。價格上揚的主要原因來自于工藝技術的更新，2D-NAND芯片會在2017年降低占比，隨后慢慢退出市場;而64層的3D-NAND要進入到市場還需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND閃存顆粒的還是處于供不應求狀態。
未來產業的方向
在10月份，知名HDD廠商西部數據用190億美元收購了固態硬盤制造商閃迪，意在開拓固態硬盤市場中占得先機。而希捷也不甘落后，同樣來自于業內人士爆料，希捷與SK海力士將會共同成立一家合資公司，目的同樣是為了搶灘快速增長的固態硬盤市場，其中希捷占股49%，剩余的51% 則是由SK海力士掌握。海力士在芯片上的研發實力強勁，不過在消費市場上的占有率卻一直非常低，而希捷則處于轉型的陣痛，HDD硬盤市場持續萎縮，希捷急于尋求突破，雙方合作本身就是優勢互補，增強競爭力。
前面提到三星裁撤建廠計劃的另外一個重要原因：就是國內半導體產業的來勢洶洶。在今年6月份，紫光集團收購武漢新芯并成立長江存儲之后，國內的DRAM、NAND芯片正在用極快的速度追趕世界先進水平，紫光集團就是國內***的代言人。
國內如此看重半導體行業的最重要原因在于智能硬件發展速度極快，國內每年的半導體芯片進口金額已經遠超原油，因此國家對與半導體企業的扶持力度極大。國際半導體行業協會在本月中旬發布的預測報告顯示，截止至2020年，全球將會有62座晶圓廠陸續投入生產，其中國內就有26座，而美國和臺灣則分別是10座和9座。
筆者感言：在經歷了2016年的起起伏伏之后，DRAM顆粒在2017年將會繼續向10~20nm制程轉進，晶圓的生產與需求將會繼續處于平衡狀態，而且目前的DRAM市場盈利能力比較有限，這也導致了美光、三星、SK海力士沒有過多與國內廠商合作的欲望，畢竟如果再加入新的制造廠商，供過于求將會是DRAM市場進入到虧損時期。NAND芯片方面，今年下半年的缺貨已經成為常態，無論是SSD亦或者eMMC/eMCP都需要面對，所以在2017年***季度，SSD和eMMC將會繼續漲價，漲幅在10%左右;目前3D-NAND芯片面臨的***問題是SK海力士和美光的良品率并不好，而2D-NAND向3D-NAND轉換勢必會造成2D-NAND缺貨，3D-NAND供貨又未能及時填補空缺造成的。
明年的內存和固態硬盤都還將處于持續漲價的態勢，同時手機的制造成本也將繼續上升。
建議想要買買買的玩家繼續觀望!
