【51CTO.com原創(chuàng)稿件】3D NAND憑著諸多的優(yōu)勢(shì)，成為兵家必爭(zhēng)之地。有消息稱，臺(tái)積電正在打算通過投資東芝閃存業(yè)務(wù)進(jìn)軍3D NAND領(lǐng)域，并且已經(jīng)確定臺(tái)積電是東芝優(yōu)先選擇的幾個(gè)競(jìng)爭(zhēng)者之一，因?yàn)樗现T多條件，比如并未涉足NAND閃存芯片制造，而且不需要政府基金來進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)投資。此外，臺(tái)積電也不可能竊取東芝的專利內(nèi)存技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)，或者霸占新公司的所有權(quán)和管理權(quán)。

　　消息稱，臺(tái)積電還希望成功勸說東芝在臺(tái)灣建立3D NAND閃存工廠，為其提供包括降低當(dāng)?shù)厣a(chǎn)成本等支持。

　　有報(bào)道稱，臺(tái)積電可以成為東芝***的生產(chǎn)合作伙伴，因?yàn)榕_(tái)積電可以幫助東芝擴(kuò)展其在3D NAND閃存領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。臺(tái)積電和東芝的合作還可以挑戰(zhàn)行業(yè)的長(zhǎng)期領(lǐng)先者三星，三星通常會(huì)通過閃存業(yè)務(wù)產(chǎn)生足夠多的利潤(rùn)來補(bǔ)貼邏輯IC部門。

　　自東芝確認(rèn)在今年4月1日將閃存業(yè)務(wù)部門剝離并成立一個(gè)單獨(dú)的公司后，競(jìng)購(gòu)東芝閃存業(yè)務(wù)的公司不在少數(shù)。近日，富士康科技集團(tuán)董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘稱，該公司正在競(jìng)購(gòu)東芝公司的閃存子公司，因?yàn)閮杉夜镜臉I(yè)務(wù)能很好的匹配，并表示“不能說我們志在必得，但我們很有信心，我們也很有誠(chéng)意”。

　　除了臺(tái)積電和富士康的動(dòng)作外，包括蘋果、美光、微軟、海力士和西部數(shù)據(jù)以及多家資本基金都加入了競(jìng)爭(zhēng)行列。東芝閃存業(yè)務(wù)將會(huì)花落誰(shuí)家?相信4月1日后，答案即能揭曉。

　　延伸閱讀：什么是3D NAND?有哪些優(yōu)勢(shì)?

　　在3D NAND之前，我們見到的多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND。3D 閃存，顧名思義就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無(wú)線堆疊。當(dāng)然，3D NAND閃存也不再是簡(jiǎn)單的平面內(nèi)存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結(jié)構(gòu)。

　　相較平面NAND，3D NAND有著非常明顯的優(yōu)勢(shì)。大家知道，NAND閃存有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進(jìn)一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進(jìn)步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進(jìn)工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時(shí)可靠性及性能都在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補(bǔ)，但這又會(huì)提高成本，以致于達(dá)到某個(gè)點(diǎn)之后制程工藝已經(jīng)無(wú)法帶來優(yōu)勢(shì)了。

　　相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費(fèi)勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達(dá)到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達(dá)到2.8Gb/mm2。

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