對于用戶來說，想在想買內(nèi)存簡直是困難的，因為它的價格暴漲的已經(jīng)離譜到難以接受的地步，更夸張的是，這個瘋漲勢頭還在繼續(xù)。

對于科學家來說，他們也在思考一個問題，如何更好的利用內(nèi)存，讓它的使用效率繼續(xù)提高。

對此，MIT的研究人員提出了一套被稱為Banshee的新內(nèi)存管理方案，這樣下來可以讓4GB內(nèi)存用出6GB內(nèi)存的感覺，而DRAM緩存的數(shù)據(jù)率能瞬間提升33-59%。

芯片廠商早已把內(nèi)存使用的DRAM直接封裝到芯片上，但芯片使用上的緩存和DRAM之間存在根本性差異，所以研究人員才把目光聚集到如何提高新增加的高速儲存器的效率上。

當然相應的研究方案，MIT已經(jīng)跟芯片廠商來共同套路如何推進了。

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