RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。

按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準;隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。

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對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。

這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。

DRAM(Dynamic RAM)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。

因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。

SRAM的速率高、性能好，它主要有如下應用：

1)CPU與主存之間的高速緩存。

2)CPU內部的L1/L2或外部的L2高速緩存。

SDRAM(Synchronous DRAM)即同步動態隨機存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準;動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失;隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。

DRAM演進及詳細分類：

A.DRAM(Dynamic Random-Access Memory)，即動態隨 機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一 次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失

B. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準;動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不 丟失;隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。

C. DDR: SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

第 一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步 時鐘。 SDR SDRAM的時鐘頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或 133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)內存則采用數據讀寫速 率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻 率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導。SDR不等于SDRAM。

ROM(Read-Only Memory)只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料并且不會因為電源關閉而消失。

FLASH即閃存。它是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位(注意：NOR Flash 為字節存儲。)，區塊大小一般為256KB到20MB。

EEPROM即電子可擦除只讀存儲器。EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數字助理)、數碼相機中保存資料等。