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國產內存真來了 但內存并不會降價

商務辦公
DRAM研發是一項極其燒錢的技術。2016年,紫光集團總耗資1000億相繼在武漢、南京、成都開工建設了存儲芯片與存儲器制造工廠,目標打造國產晶圓及DRAM顆粒和3D NAND。

長期以來,我國半導體行業發展落后,沒有量產芯片顆粒的能力,嚴重依賴國外芯片顆粒。

在中國的進口貿易中,僅2016年1月份到10月份,中國在進口芯片上就花費了1.2萬億人民幣,是花費在原油進口上的兩倍。

好在現在中國正在加大在芯片領域的投資,進展尚佳。人們希冀國產內存能夠打破DRAM的價格壟斷,從而購買更為廉價的內存,但事實果真如此嗎?

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國產內存進展一覽:良品率低、技術不成熟

DRAM研發是一項極其燒錢的技術。2016年,紫光集團總耗資1000億相繼在武漢、南京、成都開工建設了存儲芯片與存儲器制造工廠,目標打造國產晶圓及DRAM顆粒和3D NAND。

而這其中,DRAM技術研發難度***,進展也是最緩慢的。

國產內存真來了 但內存并不會降價

在2017年末,電商平臺流出了少量紫光DDR3內存,其DRAM技術來源于紫光集團收購的英飛凌科技下在存儲事業部,并且產能一直不足,良品率低的問題也沒解決,所以并未正式售賣。

2018年2月28日,紫光集團宣布旗下的DDR4內存將在年內逐步推向市場,坦然承認其銷售規模不會太高,對年度財報影響較小。

國產內存真來了 但內存并不會降價

目前我們可以購買到未經公開銷售的紫光DDR4內存,這款內存還沒有采用紫光顆粒,原因當然還是DRAM產能不足。

采用紫光顆粒的DDR3內存表現還可以,經過網友們測試,紫光DDR3內存可以在默認電壓下超頻至2000MHz。不過這也沒什么可奇怪的,畢竟DDR3內存的行業標準就這樣。

在價格上,紫光內存似乎不太“良心”。DDR4 4GB內存高達420元,和人們希望的國產內存打破國外壟斷價格的愿望相差甚遠,與其他品牌內存相比也沒有什么優勢。

當然,紫光內存的真正定價還要等正式上市我們才能公正的去評論。 

國產內存和內存降價無關

內存價格兇猛,一些國人期待國產內存可以打破國外技術壟斷,內存價格可以降下來。但這里我要為大家潑一盆冷水,因為國產內存短期內暫時無法影響DRAM的價格走勢,原因有三:

1、紫光集團內存產能較小,市場規模也小,無法與三星、美光、海力士等DRAM大廠抗衡。

2、2018年內存需求量依舊非常大,再加上原材料現在正處于供應量大幅增加階段,這導致了紫光內存的成本很高,實際產品的價格也并不會在短時間內實現下跌。

3、無論是產品的品牌效應還是技術,國產紫光內存的優勢都不大,短期難以盈利。無法影響財政,所以也沒有能力打價格戰。

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看到這兒你可能會問,那國家費這么大力氣研發內存有什么用?

對于我們個人而言,內存國產和進口沒什么區別,但上升到國家高度上,國產內存的重要性不亞于國產CPU和國產系統。

早在2015年,我國超算行業就遇到美國商務部禁售Intel至強處理器的事件。

美國商務部于2015年2月18日發布的一份通知稱,使用了兩款英特爾微處理器芯片的天河二號系統和早先的天河1號A系統,“據信被用于核爆炸模擬”。

所以我們可以看到,如果技術受制于人,未來必然會面對更多的禁售事件。

此外,內存技術掌握在他國手中也意味國家信息安全上存在阿喀琉斯之踵,風險極大。現代社會電子產品無處不在,內存是電子產品必不可少的關鍵部件。如果內存存有“后門”程序,將導致國家諸多敏感信息泄露。

所以中國大力研發DRAM、3D NAND是***策略,內存降價對中國半導體行業沒有一點好處,甚至還有風險,這點我們下文會提到。

警惕風險:備戰DDR5

前幾年很多DRAM廠商紛紛倒閉,只剩下三星、海力士、美光三家,究其原因還是DRAM不賺錢。

2017年市場需求太猛烈,DRAM廠商產能跟不上才導致了供不應求、價格猛漲的“超級利好”時期。

然而,***和第二大dram生產商三星電子和sk海力士正在爭先恐后地擴大DRAM產量。報道預計,如果兩大巨頭繼續增產,那么全球DRAM的供求情況就會發生逆轉,DRAM價格也將暴跌。

一旦內存價格下跌,中國半導體行業很可能虧損甚至被拖垮。

此輪DRAM增廠并不是空穴來風,有臺灣企業調查顯示“三星為了提高市場進入壁壘,正在試圖增加dram產量,防止DRAM價格進一步上漲。”

在2017年第三季度的業績發布會上三星電子也表示:“將會把華城工廠的nand閃存生產設備轉換為DRAM生產設備,此外還會利用平澤工廠的2樓去生產DRAM。”

全球***的金融機構之一美銀美林集團預測,三星電子的DRAM生產能力在今后2年內將增長20.3%。

sk海力士也不例外。2017年7月,sk海力士將投資規模增加了近40%,從而把在中國無錫的DRAM工廠的生產能力提升了兩倍。不過,報道稱,排在dram生產第三位的鎂光公司并沒有一起跟進。

在業內人士看來,三星和海力士的行為都是在打壓中國半導體行業崛起的手段,內存的國產之路,風險重重。

小結:

進入2018年后,內存行業將正式公布DDR5內存規范,下一代DDR內存的帶寬和密度都是現在的兩倍,技術難度也將達到***的高度,DRAM面臨新一輪洗牌。

這是中國企業的挑戰也是彎道超車的***時機,未來希望中國的半導體企業可以在DDR5內存上大有作為,打破行業壟斷,彰顯大國風采。

責任編輯:武曉燕 來源: 中關村在線
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