說到MRAM大家可能不太熟悉，這是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器，與NAND閃存相比，MRAM能夠達到1ns的穩(wěn)定時間，并且高于目前公認的DRAM理論限制，擁有更高的寫入速度，可怕的是MRAM還擁有接近***次寫入的性質。

　　據(jù)外媒報道，英特爾的MRAM已準備好在大批量生產中投入生產了，采用的是22納米工藝。

　　據(jù)悉，英特爾工程師LigiongWei稱，MRAM在其目前的生產特點下，能夠在200°C下高溫下保存10年的數(shù)據(jù)，并能承受超過10^6個切換周期。而且除了高耐久性外，22納米嵌入式的MRAM技術的比特率超過了99.9%，這種相對保密的技術來說相當可怕。

　　點評：MRAM作為DRAM和NAND閃存的有力替代者，目前還略顯青澀，在商用市場上沒個一兩年很難見到，但可以預料的是這個技術相當厲害，也許具有打造新型計算機和設備的潛力(整合內存和硬盤?)。