近日，硬哥有幸受邀，參觀了Intel位于遼寧省大連市的Fab 68晶圓廠，并學習了Intel NAND閃存、3D XPoint Optane傲騰方面的深層技術(shù)與未來規(guī)劃，與諸君分享。 

[[284094]]

Intel大連工廠2007年奠基，2011年全面投產(chǎn)，這是Intel 1992年愛爾蘭Fab 10之后新建的第一座晶圓廠，也是Intel在亞洲的第一座晶圓廠，初期總投資25億美元，建筑面積16.3萬平方米，其中潔凈室廠房面積1.5萬平方米。

大連工廠初期主要生產(chǎn)65nm工藝的芯片組等產(chǎn)品(不生產(chǎn)CPU處理器)，2015年追加投資55億美元(Intel在中國最大的一筆)，升級為NVM非易失性存儲制造工廠，主力生產(chǎn)NAND閃存，也是Intel全球同類工廠中最先進的之一。

2016年7月，大連廠升級后的一期項目投產(chǎn)，次年發(fā)布的DC P4500/P4600系列數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤就使用了這里出產(chǎn)的3D NAND。2018年9月，二期項目投產(chǎn)。目前，Intel最先進的96層3D閃存就是來自大連。

因為短時間內(nèi)實現(xiàn)高能效生產(chǎn)，Intel大連廠曾兩次獲得全球制造業(yè)務(wù)線金獎，2012前年還拿到過Intel全球金獎，這在Intel還是首例。

Intel還曾公開贊揚大連廠，相信它是存儲歷史上投產(chǎn)最快的工廠之一。

大連廠特別注重對于本地人才的培養(yǎng)，投產(chǎn)初期就需安排了300多名員工到美國和愛爾蘭專業(yè)培訓(xùn)，并指派200多名外籍員工來中國工作。目前，工廠關(guān)鍵高管的外籍、本地人才比例已經(jīng)達到2:8，而在十年前還是7:3。

值得一提的是，Intel還是大連第一家披露環(huán)境績效的企業(yè)，也是大連唯一實現(xiàn)100％餐廚垃圾無害化處理的企業(yè)。

Intel晶圓廠、封裝測試廠全球布局

[[284095]]

Fab 68布局圖(注意左下角是留給未來擴建的)

[[284096]]

優(yōu)秀人才榜

展示區(qū)的Intel處理器內(nèi)核照：你能認出來是哪些嗎？

[[284100]]

從沙子到芯片的制造過程演示

[[284101]]

[[284102]]

這次有幸參觀了大連廠的內(nèi)部辦公、制造環(huán)境，但因為保密限制不能大家分享照片了。上邊兩張圖來自Intel與美光合資的閃存工廠，與之有些類似。

大連廠的廠房共有四層，其中核心的潔凈室制造區(qū)位于第三層，進入必須穿著專門的防護服(俗稱兔子裝Bunny Suit)，佩戴頭套、胡須套，因為里邊的環(huán)境比手術(shù)室還要干凈一百倍，每立方米內(nèi)比頭發(fā)絲直徑還小的顆粒不超過10個(Class 10等級)。

由于實現(xiàn)了高度自動化，制造區(qū)內(nèi)的工作人員非常少，偶爾三三兩兩走過，更多工作人員就在辦公室內(nèi)遠程調(diào)控。

至于這里的工藝和設(shè)備有多么高級和先進，看到上邊圖中廠房頂部來回奔走的“小吊車”了嗎？它們負責晶圓的傳輸，每一個都價值一輛寶馬。

接下來是技術(shù)分享環(huán)節(jié)，分為閃存、傲騰兩個部分。

在計算體系中，存儲有多種不同類型，處理器緩存、封裝內(nèi)存、DRAM內(nèi)存、NAND閃存、HDD機械硬盤、磁帶等等，形成了一個完成的體系，但因為各自特點迥異，比如內(nèi)存和閃存之間，比如閃存和固態(tài)存儲之間，無論性能還是容量，仍然存在很大的空白。

DRAM內(nèi)存、3D NAND閃存、3D XPoint傲騰三種存儲中，Intel重點努力的是后兩種，尤其是擴展性極佳的傲騰。當然如果你熟悉歷史，應(yīng)該記得Intel公司成立之初的業(yè)務(wù)其實正是DRAM，確切地說是SDRAM。

DRAM是平面型的，無論容量還是性能提升都越來越困難，比如密度早些年每三年增加四倍，而今每四年才能增加兩倍，而閃存SLC、MLC、TLC、QLC一路走下來，單位容量帶寬是越來越低的，與計算核心的距離其實在拉大。

當然，NAND閃存在可見的未來內(nèi)仍是應(yīng)用最廣泛的存儲類型，Intel更是采用了先進的浮動?xùn)艠O設(shè)計，不同于傳統(tǒng)電荷擷取設(shè)計，使用的是獨立充電存儲節(jié)點，編程擦寫循環(huán)、單元間電荷隔離、數(shù)據(jù)持久性都更佳，同時還有陣列下CMOS結(jié)構(gòu)(CuA)，可節(jié)省空間占用，有利于存儲密度的擴充。

Intel 2016年量產(chǎn)了第一代32層TLC閃存，單位容量密度384Gb，2017年的第二代64層QLC猛增至1024Gb，而在今年剛投產(chǎn)的是第三代96層QLC，明年將迎來第四代144層QLC(跳過128層)。

注意后面三種存儲密度其實沒變，更多的是靠增加堆疊層數(shù)而提升容量，這也是NAND閃存面臨的一個困局。

除了閃存本身容量提升，Intel也一直致力于固態(tài)硬盤容量的提升，比如設(shè)計了全新的E1.L、E1.S形態(tài)，前者相比U.2容量增加最多1.66倍，散熱效率提升2倍，而后者相比M.2容量可翻一番，散熱效率更是提升3倍，而且都為PCIe 4.0、PCIe 5.0做好了準備。

說到閃存存儲格式，SLC、MLC、TLC、QLC大家都很熟悉了，分別是每個單元1、2、3、4個比特位，分別有2、4、8、16種電荷狀態(tài)，壽命確實在持續(xù)衰退，但是得益于先進的浮動?xùn)艠O結(jié)構(gòu)，Intel QLC閃存的數(shù)據(jù)持久性更好。

接下來就是每單元5個比特位、32種點和狀態(tài)的PLC，Intel的浮動?xùn)艠O結(jié)構(gòu)依然可以滿足，當然需要在閃存結(jié)構(gòu)、主控和固件優(yōu)化支持方面做出更多的努力，以彌補壽命的不足。

至于再往后，Intel多年前就在研究每單元8個比特位的NAND閃存，因此仍然是可以繼續(xù)走下去的。

傲騰一直是Intel引以為傲的黑科技，早先與美光合作研發(fā)，但因為各種原因，雙方已經(jīng)分手。

Intel坦言，就像過久了的男女朋友或者夫妻，如果雙方的努力方向不一致，是很難繼續(xù)過下去的，分手也是迫不得已，包括專利、技術(shù)方面也確實會有一些影響，但是未來Intel會堅定地持續(xù)發(fā)展傲騰，而且是自己單干，暫無計劃與其他家合作。

相比于NAND閃存，傲騰的結(jié)構(gòu)又完全不一樣，一個突出特點就是擴展性更好，目前只用了區(qū)區(qū)兩層(Deck)，接下來會擴展到四層，未來還是八層，容量、性能都不可限量。

傲騰對比閃存的最大優(yōu)勢就是隨機讀寫性能高得多，而延遲又低得多，特別是隨著IOPS的不斷增加，優(yōu)勢會越來越明顯，因此非常適合大型數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。

Intel下一代傲騰產(chǎn)品代號“Aerospike”，預(yù)計可以做到130萬左右的超高IOPS，是現(xiàn)在傲騰SSD DC P4800X的大約三倍，更是NAND閃存硬盤的四倍多。

更誘人的是，新一代傲騰產(chǎn)品失敗率極低，只有NAND閃存的大約50分之一。

作為拿手戲的延遲，新傲騰更是一騎絕塵，尤其是在16線程這樣的高并行負載下。

除了作為SSD存儲產(chǎn)品，傲騰還可以作為持久內(nèi)存，并支持內(nèi)存模式、應(yīng)用直接模式兩種針對不同負載的工作模式，已經(jīng)搭配可擴展至強逐漸普及，Intel也提供了各種配套工具挖掘其潛力。

傲騰持久內(nèi)存目前兼容DDR4，下一步DDR5到來之后，傲騰也可以輕松遷移兼容，實現(xiàn)平滑升級，這也是傲騰靈活性的另一個體現(xiàn)。

傲騰存儲還在發(fā)展階段，尤其是持久內(nèi)存，但已經(jīng)得到了極為豐富的生態(tài)支持，各種頂級行業(yè)巨頭都有應(yīng)用，包括國內(nèi)的BAT互聯(lián)網(wǎng)三巨頭、浪潮、金山云等等。

在Intel看來，相比于NAND閃存，傲騰更具有長遠發(fā)展能力，尤其是隨著容量的不斷增長，單位容量的IOPS并不會持續(xù)下降，這一點對企業(yè)級應(yīng)用至關(guān)重要。

不過需要注意的是，和早期很多人認為的不同，Intel從未考慮用傲騰取代傳統(tǒng)內(nèi)存、硬盤，更多的是用它來填補存儲體系中的空缺，發(fā)揮各自所長。在未來，傲騰固態(tài)盤、傲騰持久內(nèi)存也會共同發(fā)展，互為補充。

至于和美光分手后，Intel是否會將傲騰轉(zhuǎn)移到大連廠來生產(chǎn)，這個尚未決定。

這就是Intel理想中的存儲架構(gòu)，感覺如何？