國內(nèi)芯片行業(yè)的代表就是中芯國際，世界芯片行業(yè)的代表就是臺(tái)積電、三星和英特爾今天借著中芯梁老的一封信，說一下個(gè)人的觀點(diǎn)。

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臺(tái)積電現(xiàn)狀

臺(tái)積電之前就公開表態(tài)，2020年他們是唯一能夠量產(chǎn)5nm工藝的晶圓代工廠。雖然年初2月份高通發(fā)布的曉龍X60基帶，是全球第一個(gè)5nm工藝的芯片被證實(shí)是三星代工的。但不可否認(rèn)的是，臺(tái)積電在5nm工藝上仍然有足夠的底氣。再加上正面曝光的4nm、3nm的芯片研制進(jìn)程，最快2021年就可以看到3nm的芯片產(chǎn)品，并在2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。這里我們不去討論上面的3nm、4nm到底是不是真正的調(diào)制程的問題。單從性能和功耗的角度來看，這些新的芯片仍然是世界頂尖水平。這就是目前臺(tái)積電的現(xiàn)狀。

中芯國際現(xiàn)狀

借助中芯國際梁老的信，我們可以看出來。目前中芯國際的能規(guī)模量產(chǎn)的是28nm\14nm\12nm，7nm的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)完成，5nm和3nm的技術(shù)在有序展開。而研發(fā)生產(chǎn)最主要的EUV光刻機(jī)，早在2018年就已經(jīng)下單，直到現(xiàn)在也沒有交貨。按照目前的形勢(shì)，估計(jì)中芯國際真正拿到光刻機(jī)，也是遙遙無期的事情。雖然技術(shù)研究一直都在進(jìn)行，但實(shí)踐卻受阻?，F(xiàn)在又爆出中芯國際空降高管事件，再次增加了中芯國際的不確定因素。一直在追趕先進(jìn)的芯片技術(shù)，這就是中芯國際的現(xiàn)狀。

理想情況

我們從臺(tái)積電和三星的14nm到7nm進(jìn)程時(shí)間來看，臺(tái)積電花了2年時(shí)間，三星花了3年時(shí)間。我們排除掉美國技術(shù)制裁影響，在理想的情況下，中芯國際和現(xiàn)在的臺(tái)積電5nm水平，中間只相隔了2代。從這里就可以看出來，中芯國際和臺(tái)積電之間的差距。在現(xiàn)有的硅基芯片賽道里，我們要實(shí)現(xiàn)超越難度實(shí)在太高了，看起來就是一個(gè)不可能的任務(wù)。

芯片新技術(shù)

目前的市面上的芯片都是用硅芯片制作的硅半導(dǎo)體集成電路，也叫硅基芯片。隨著硅芯片的制程逐漸逼近極限，硅也正在達(dá)到它的極限。目前半導(dǎo)體廠商在3nm以下的芯片走向都沒有明確答案。大多數(shù)認(rèn)為，“摩爾定律”將走向終結(jié)，取代硅芯片的將是另外一種新材料芯片。目前有提出來的新材料有：石墨烯、碳納米管、碳化硅、氮化鎵等，但這些都沒有資料明確的表明能代替現(xiàn)有的硅芯片。唯一能確定的是：如果新的代替芯片產(chǎn)生，將會(huì)打破現(xiàn)有的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)壟斷格局，所有硅芯片的技術(shù)積累都將清零。而擁有這項(xiàng)技術(shù)的國家將會(huì)獲得新一代的芯片技術(shù)控制權(quán)。而我們一直在往這個(gè)方向努力著，芯片人!加油!

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