在近日國際固態電路大會（ISSCC）上，東芝和SanDisk公司聯合宣布將開始使用一種超高密度NAND閃存技術。

這種技術稱為SanDisk X4（4-bit-per-cell），每單元4位信息存儲技術。這種技術使用特殊的內存控制器，可以在保證速度的同時整合更高密度的閃存。在單芯片上，東芝和SanDisk可以整合最大8GB閃存，且仍能保持傳輸速度7.8MB/s不變。

通常單個閃存卡能封裝4個這樣的高密度芯片，而高端閃存卡則可以在此基礎上增加一倍的存儲容量至64GB。X4技術的使用主要得益于SanDisk的43nm生產工藝，因為東芝公司去年秋天才完成了32GB閃存卡。

首個使用X4技術的產品應在今年上半年上市，最初的產品應該是記憶卡產品。不過東芝目前為蘋果iPhone和iPod提供閃存芯片，有可能會在以后繼續提供更大容量芯片。