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引領3D NAND潮流,戴爾全閃存再次突破業界每GB成本

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近日閃存領域的最大新聞,應該是戴爾在其SC(Compellent)系列存儲陣列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持,現在開始提供業界單位容量成本($/GB)最低的全閃存陣列。

近日閃存領域的最大新聞,應該是戴爾在其SC(Compellent)系列存儲陣列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持,現在開始提供業界單位容量成本($/GB)最低的全閃存陣列。戴爾也正式對外宣布,這將是:

①行業最低的$/GB,包括閃存裸容量和可用容量;

②以15K硬盤價格提供SSD;

③企業級全閃存陣列價格低至$1.66/GB(裸容量)

“硬指標才是硬道理”最實在的每GB成本計算全閃存陣列最大的優勢就是快,滿足用戶性能快的同時其最大的門檻就是物理容量,目前在解決性能與容量的矛盾問題方面,業界友商采用了壓縮和重刪之后來計算每GB成本。但是按照戴爾的硬指標來看,全閃存陣列應該比較物理容量才能更貼近用戶需求,而不是用不可控的壓縮或者重刪來美化結果。另一方面,戴爾也在滿足用戶全閃存陣列大容量需求的同時,Dell SC和EQ系列都支持并且免費提供壓縮和重刪功能,對于這點,戴爾在業界絕對領先。

TLC 3D NAND讀性能讓小伙伴驚呆了!目前,在戴爾SC存儲產品家族中支持3種SSD:寫密集型(WI)、高級讀密集型(PRI)和主流讀密集型(MRI)。其中新加入的MRI有4個容量標準——480GB、960GB、1.92TB和3.84TB。需要指出的是,用戶對于3.8TB的閃存容量需求,戴爾給予了業界最大化的滿足,已經將最新的MRI最先推進到用戶應用端。戴爾本身更愿意傾聽用戶聲音,產品設計源于用戶需求本身,因此對于用戶需求把控非常明確,MRI對于讀密集型需求讀用戶將會帶來一次新的飛躍。

 

當然,戴爾既然擁有多種類型SSD給予用戶的選擇,也是基于用戶需求差異性而考慮的。首先價格最貴的WI全面領先,這部分用戶需求重性能,WI可以給予充分滿足,因為WI類型SSD不僅寫性能卓越,讀性能也同樣卓越。

其次,高級讀密集型(PRI)可以滿足用戶對于讀性能讀高級需求,對于價格方面稍微不那么敏感的用戶更利于接受。

另外就是新推出的MRI(TLC 3D)在隨機和順序讀性能上與之前的讀密集型MLC一樣保持了良好的水平。當然,在對比15K HDD來看,MRI SSD在隨機IOPS方面的巨大優勢自不必說了。

總體分析來看,戴爾將用戶對于讀寫性能需求做了細致劃分,讓用戶對于SSD性能與成本選擇上有了更多的機會,對整個全閃存陣列市場的拉力效應必將是巨大的。新驅動器(TLC 3D)相對于當前RI(MLC)SSD,解決方案成本($/GB)降低50%,保持了優秀的讀性能,對于在讀性能方面要求高并且還在乎成本的用戶來說,不能不算是一個福音;同時在對比15K HDD,則有著優異的讀寫性能,并維持相同的解決方案成本,這明顯指明了用戶采用閃存替代磁盤的最佳途徑之一。

名不虛傳的殺手锏:閃存優化分層

 

TLC 3D NAND SSD在SC陣列中的配置方法,戴爾有兩種方案:

a.全閃存,替代15K HDD并加快通用陣列的速度,可選7.2K HDD混合分層。該方案能夠以相同成本提供24倍硬盤配置的IOPS,具備低延時、低功耗/冷卻需求和較小的空間占用。當然這種配置應該主要是針對讀密集型應用,寫入數據量較大的推薦下面的方案。

b.WI寫密集型和MRI主流讀密集型SSD分層(同時也可選7.2K HDD混合分層),TLC 3D NAND在這里進一步降低了只讀訪問的Tier 2閃存層價格,同時相比其它MLC SSD沒有性能下降。這種高級性能“閃存優化型”陣列的特點,我們在《向Gartner全閃存魔力象限說“不”》一文中介紹過,所有來自主機的寫操作都進入RIAD 10的Tier 1,然后定期以固定尺寸數據塊順序遷移到RAID 5/6的Tier 2中,兼顧了讀/寫性能、空間利用率和閃存壽命。

可以看出,閃存優化分層是戴爾平衡成本、性能與壽命的強大武器,并不是一味追尋所謂的“AFA(全閃存陣列)”。從數據生命周期的角度來考慮,AFA不支持磁盤是缺憾, 而戴爾堅持扎扎實實在閃存級別上做優化,在業界唯一的SLC/eMLC分層的基礎上,再次全球第一個推出TLC閃存陣列。

同時,戴爾也認為TLC不是用來代替eMLC和SLC做業務密集型(如寫入頻繁的OLTP)存儲的,而是容量型,戴爾對于用戶需求定位非常準確,絕不含糊。TLC在閃存中的定位有些類似于機械硬盤中的NL-SAS,區別在于TLC的讀性能是不打折扣的。當然,對于不同用戶的需求,戴爾也有專業工具和專業人員來設計合適的方案。

因制程不同 - 3D TLC將擁有與2D MLC相對等的使用壽命

 

利用多層堆疊封裝,3D NAND能否提高閃存顆粒的密度。同時,搭配更加成熟3x-50nm半導體工藝,在相同的閃存類型(比如MLC vs. MLC,TLC vs. TLC)上比現今前沿的1x-20nm閃存會有更好的耐久度。我們知道,隨著cell單元尺寸的不斷縮小,NAND的P/E Cycle(編程/擦除周期)呈不斷下降趨勢。

戴爾存儲產品管理執行董事Travis Vigil在他的博客中這樣寫道:“對于繁重寫入的負載,戴爾也能更長期地保護Tier 2中的3D TLC SSD。戴爾對此非常自信,承諾所有SSD類型的生命周期與陣列的服務計劃一樣長,我們將更換任何損壞的驅動器而不考慮(閃存)磨損等級或者最大壽命。”

也就是說,只要在陣列的保修服務期內,無論SSD是否因為超出寫壽命限制而損壞,戴爾都將免費更換。

正是因為我們前面介紹的閃存優化分層等優勢技術帶來的改善,戴爾才能夠給出這種承諾!

 

 

戴爾SC4020現在能夠在2U空間內提供90TB閃存,達到15K HDD(單盤最大600GB)密度的6倍。閃存取代高轉速硬盤的趨勢毋庸置疑,而戴爾對TLC 3D閃存的支持則像一個催化劑,將閃存陣列的普及之火會越燒越旺。

總結可見,引領3D NAND潮流,戴爾全閃存再次突破業界每GB成本只是一次小小的試水。在閃存領域的競爭征途上,戴爾永遠會堅持用戶需求定位,以最先進的技術與服務幫助用戶獲得最實在與優惠的解決方案。對此,戴爾將會一如既往地在閃存新技術的應用上保持既有的先進性,并在未來給予用戶更大的回報。

責任編輯:老門
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