無論采用SSD還是自定義閃存卡，全閃存陣列已然成為存儲世界中跑車級的存在，***的IOPS以及與主機(jī)系統(tǒng)的快速連接等特性使得無人能出其右。一臺***的全閃存陣列可以在提供4,000,000 IOPS的同時(shí)，再搭配兩塊以上的40 Gbps以太網(wǎng)卡。

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相比之下，混合存儲陣列就成為了行人一般的存在。尤其是對于支持4到8塊SSD但整體上還是要靠HDD來撐起大部分容量的情況，這類陣列理論上要比全閃存陣列更為便宜，前提是后者的單位存儲成本要更高。

“理論上”這個(gè)詞兒很關(guān)鍵。畢竟如果考慮到傳統(tǒng)陣列的高利潤，那么價(jià)格將會(huì)是一個(gè)很復(fù)雜的數(shù)字。這也使得全閃存陣列廠商有的時(shí)候也只能賠本兒賺吆喝。即便如此，閃存對于用戶來說還是多多少少有些昂貴。

如果故事到這里就結(jié)束了，那么廠商們就可以憑著全閃存的性能做出更多的文章。在高性能計(jì)算領(lǐng)域，尤其是在交易平臺或者工程模擬方面，性能就是王道，這樣一來那些能提供4,000,000 IOPS的陣列還愁找不到買家嗎?但是對于大多數(shù)場景，TCO的確是一件不得不考慮的事情，有時(shí)候其重要性甚至要高于IOPS。

關(guān)于成本

混合存儲的賣點(diǎn)就在于非全固態(tài)。其余的地方可以換成更為廉價(jià)的、慢速的硬盤。雖然全閃存陣列廠商只推固態(tài)存儲，但是他們卻悄悄引入了自動(dòng)分層技術(shù)，進(jìn)而拖慢了整臺存儲的性能，也包括云存儲或者對象存儲。全閃存最初的銷售建議只是順帶加快現(xiàn)有SAN環(huán)境的速度，沒想到***卻成為了***的噱頭。

然而，就像賣家說的那樣，“慢著，我們還有好貨!”陣列控制器在功能性上起著很大的作用。對于一臺常見的全閃存陣列來說，數(shù)據(jù)壓縮功能就具有很多超過傳統(tǒng)RAID陣列的優(yōu)勢。由于現(xiàn)有帶寬已經(jīng)足夠滿足跟服務(wù)器間的正常通信，全閃存陣列則利用部分多余帶寬在后臺進(jìn)行數(shù)據(jù)壓縮操作。在***IOPS這個(gè)級別上，該操作將會(huì)消耗掉相當(dāng)一部分計(jì)算能力和IOPS。由于全閃存陣列擁有足夠的計(jì)算能力來支持后臺壓縮，這也使得其可以完爆傳統(tǒng)的混合存儲陣列。

這個(gè)壓縮操作所帶來的直接影響就是，閃存以及任何附帶的HDD或者對象存儲的空間將會(huì)提升5倍左右。這對全閃存陣列的高昂成本在很大程度上起到了平衡作用。

而這種影響在市場上的表現(xiàn)則是雙重的。全閃存和混合陣列正在快速占領(lǐng)傳統(tǒng)RAID陣列的市場。IDC報(bào)告顯示，全閃存陣列在2016年第二季度西歐的外部存儲市場的占有率為17%，而混合存儲陣列的占有率則為46%。

關(guān)于模具設(shè)計(jì)

如果我們看看今后的發(fā)展情況，就會(huì)發(fā)現(xiàn)閃存的成本將會(huì)上升。2017年年中倍受青睞的閃存技術(shù)將會(huì)是3D NAND，隨之而來的則是單塊晶片的容量提升。盡管制造單塊晶片或者模具的成本在大幅度提升，但是單體容量的增長速度卻要遠(yuǎn)超與此，所以，閃存的價(jià)格將會(huì)在2017年后半段出現(xiàn)明顯下降。與此同時(shí)，我們也會(huì)看到會(huì)有一大批閃存晶片廠商隨之上線投產(chǎn)。

這種模具成本的變化趨勢將會(huì)對全閃存陣列相對于混合陣列在價(jià)格體系上帶來很多幫助。HDD將會(huì)在2018年隨著更大容量SSD的出現(xiàn)而壽終正寢，如2016 Flash Memory Summit上所描述的那樣，Samsung計(jì)劃在2020年發(fā)布的100TB SSD將會(huì)取代那些容量在10TB至15TB之間的低容量企業(yè)級近線(nearline)硬盤。如果從這個(gè)角度看，全閃存存儲最終將會(huì)贏得這場戰(zhàn)爭。

然而，受到***一代***閃盤現(xiàn)象級性能的影響，全閃存的特性正在不斷變化。目前來說，單塊SSD就可以實(shí)現(xiàn)10,000,000 IOPS，而且我們預(yù)測到這個(gè)數(shù)字還會(huì)繼續(xù)增長。如果要把僅僅幾塊這種級別(或者同類產(chǎn)品)的硬盤掛到一個(gè)單獨(dú)的機(jī)柜里，I/O帶寬的最終實(shí)現(xiàn)則需要一種更為緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

這種類型的產(chǎn)品已經(jīng)在超融合系統(tǒng)市場上出現(xiàn)了，其幕后推手不是廉價(jià)的控制器，而是性能強(qiáng)勁的服務(wù)器引擎。借助SSD體積的優(yōu)勢(100TB硬盤僅為2.5英寸)，超融合系統(tǒng)有更多的空間為其服務(wù)器配置速度超快的內(nèi)置硬盤以及存儲用硬盤，當(dāng)然所有這些都采用了數(shù)據(jù)壓縮功能。到2018年，這樣一臺2U的產(chǎn)品將會(huì)擁有200TB的服務(wù)器存儲以及2PB的二級存儲，壓縮比為5：1。

從本質(zhì)上來看，這種設(shè)計(jì)和全閃存陣列在某段時(shí)間是極其相似的，只不過后者在某些情況下仍然采用了雙控制器加專用閃盤的配置。這樣一來，留給混合存儲的生存空間就真的不多了。

關(guān)于連接性

接口的問題終究是要被進(jìn)一步落實(shí)的。今天的全閃存陣列依然支持Fibre Channel(FC)，和它們之前作為SAN加速器的時(shí)候沒什么區(qū)別。但是為了更好地應(yīng)對2017年的數(shù)據(jù)洪流，網(wǎng)絡(luò)性能的提升勢在必行。這其中就包括了RDMA，該技術(shù)將會(huì)促使NVM Express over Fabrics的出現(xiàn)，這也是一種對目前用在***SSD中的NVME訪問協(xié)議的擴(kuò)展。

我們目前正處在“Fabric”發(fā)展的岔路口。RDMA是Ethernet和InfiniBand市場的主流，而就目前情況看，前者已經(jīng)穩(wěn)操勝券。然而這就將FC推到了前線，不僅在性能和市場發(fā)展上都不具優(yōu)勢，而且還沒有RDMA的經(jīng)驗(yàn)。

這也就意味著全閃存存儲在2018年將會(huì)沖破FC SAN的限制來迎合軟件定義存儲的新模型。總的來說，全閃存陣列會(huì)有很大的可能性在未來的幾年時(shí)間內(nèi)接管整個(gè)市場。