【51CTO.com快譯】一家以色列小公司正在利用納米技術打破存儲器領域的瓶頸。半導體公司Weebit Nano最近推出了SiOx ReRAM，它聲稱這是目前在開發中的最小巧、最節能的隨機存取存儲器（RAM）。一旦商業化，該公司預計有望提升存儲激增數據的能力。

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總部位于澳大利亞悉尼的TMT Analytics的負責人Marc Kennis解釋，ReRAM（電阻式RAM）是一種混合技術，由于速度快、密度高，有朝一日有望取代存儲界的NAND閃存和DRAM。他表示，ReRAM與閃存一樣是非易失性，但速度與DRAM一樣快。

Weebit結合了ReRAM與SiOX（二氧化硅），正試圖獲得快速、通用、低能耗的存儲介質，又能夠保存大量數據。尺寸也很小；目前僅40納米大小。捎帶提一下，1納米是10億分之一米。

數據保存能力是這個項目的一個重要目標。最近，Weebit Nano證明了其技術可以將存儲的信息保存10年以上。

速度是另一個重要的方面。該技術幾乎與DRAM速度一樣快。Kennis表示，Weebit的存儲器單元集DRAM和閃存的優點于一身，不但速度非常快，還能長期保存數據。

Weebit Nano處理數據存儲的方式與目前大多數技術通過閃存和DRAM來處理的方式截然不同。

他說："展望未來，將DRAM存儲器單元縮減到遠小于20納米的尺寸面臨成本迅速增加到難以承受的地步。此外，3D NAND閃存中做到超過128層目前被認為是一大挑戰，因為在蝕刻多層的同時沉積更高縱橫比的NAND string閃存單元將犧牲可制造性和可靠性。"

Kennis認為，這項技術大有潛力，有望在三五年內補充甚至部分取代DRAM和閃存。他預計該技術在數據中心、智能手機、筆記本電腦和物聯網設備等領域會牢牢占有一席之地。

多年來Weebit Nano一直致力于研究這項技術，將尺寸從300納米縮小至40納米。***執行官Coby Hanoch表示，下一個目標是進一步縮小至29納米。

原文標題：Will Nano ReRAM Eventually Replace DRAM and Flash?，作者：Karen D. Schwartz

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