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大家肯定都知道，最近芯片的制程可謂越來越棒了，當前全球半導體最先進的制程已經發(fā)展到5nm了。

但是隨著芯片制程技術的提高，內存的漏電問題更加嚴重，這有可能導致比特翻轉，數據泄露，會進一步影響整個器件和系統的性質。

很多原先只存在于理論上的攻擊方法，如今在現實中也確確實實地發(fā)生了。

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這不，最近，谷歌又發(fā)現了一個大bug。

研究人員發(fā)現了一種“半雙工”的新型Rowhammer攻擊技術（下文簡稱“R攻擊”），它可以通過操縱計算機內存芯片DRAM （動態(tài)隨機存取存儲器）中的電荷來破壞或泄露數據。

提到這種R攻擊的問題，還得從技術上說起。

R攻擊技術原理

其實，2014年的一篇論文就在當時主流的DDR3內存中就首次討論了R攻擊的可能性。

第二年，Google的project zero便針對R攻擊，發(fā)布了一個實質性的工作漏洞。

作為回應，DRAM的制造商在芯片中加入了新的邏輯，可以跟蹤頻繁訪問的地址，并在必要時進行消除。

后來隨著 DDR4 被廣泛采用，因為這些器件都有內置的防御機制，所以R攻擊的問題似乎已經解決了。

但在 2020 年，研究人員開發(fā)了一種名叫TRRespass工具，展示了如何通過分發(fā)訪問，來攻破防御，證明了R攻擊技術仍然可行。

今年，研究人員又開發(fā)了一種新的名叫SMASH的攻擊，進一步演示了如何利用JavaScript進行攻擊，而不需要調用緩存的原語句。

看來問題越來越大了。

既然R攻擊技術如此神通廣大，不容小覷，那讓我們來看看它的原理具體是什么？

R攻擊是一種針對DRAM漏洞的攻擊技術。

通過它重復訪問一個地址時，可能會篡改存儲在其他地址上的數據，當一個DRAM行被反復訪問時，在相鄰的兩行會發(fā)生“比特翻轉”。

具體來說就是：

在攻擊時，黑客在DRAM晶體管的“行”上反復運行相同的程序，以攻擊該行，直到它把電泄漏到相鄰的行。

這種泄漏可以將下一排晶體管中的一個比特從1翻轉為0，或者從0翻轉為1。

由于被攻擊的單元格的值發(fā)生了變化，它導致相鄰行的數據也發(fā)生變化。

這意味著在理論上，攻擊者可以改變內存中任何比特的值，通過翻轉足夠多的比特，攻擊者甚至可以操縱目標系統。

那為什么今年這種技術又爆火了呢？這是因為又有了一些新變化：

目前的R攻擊技術主要采用了“半雙工”技術。

此前通過重復訪問一個內存地址，只可以訪問相鄰行的 DRAM 地址。

但現在，谷歌已經證明：

R攻擊已經可以成功傳播到相鄰行以外的行，雖然效率還不是很高。

這種情況說明，攻擊某一行所產生的“漣漪效應”會特別大，最終會帶來整個系統的崩潰。

說到“半雙工”，再來看看“半雙工”的過程是什么？

研究人員先是嘗試多次訪問地址“A”，然后順利實現了對地址“B”的數十次訪問，接著又向地址“C”發(fā)起了攻擊。

這種技術在晶體管的“行”相距較遠的舊一代DRAM中并無作用。

但是，由于摩爾定律將晶體管變得更加緊密，所以這種“半雙工”的R攻擊風險正在增加。

正是因為這一代的DRAM制程不斷提高，所以內存行之間的距離也在減少，使其更容易發(fā)生漏洞，觸發(fā)“比特翻轉”。

網友：這種攻擊到底現不現實？

有網友表示：

這種攻擊利用了寫入新數據時，DRAM單元中翻轉的電磁特性。但是這種攻擊僅在學術環(huán)境中有，從未在現實世界中使用過。

但也有網友表示這并不是只在學術環(huán)境里運行，并給出了實例。

看來這項攻擊的確具有現實意義，不可不防??！

谷歌：正在和JEDEC尋求解決

這并不是R攻擊第一次似乎得到解決，然后又忽然跳水。

阿姆斯特丹自由大學的研究人員在過去的18個月中多次強調：

目前的芯片防御系統可以抵御傳統的R攻擊。

但是，存儲芯片的制程提高可能會帶來R攻擊的新風險。

在最壞的情況下，惡意代碼有可能通過這種攻擊逃脫沙箱環(huán)境，甚至接管系統。

對此，谷歌表示：

谷歌正在和獨立的半導體工程貿易組織JEDEC以及半導體行業(yè)的幾家公司合作，尋找“R攻擊的可能解決方案”，并鼓勵其他專家加入一起努力，因為這個挑戰(zhàn)對整個行業(yè)都有巨大影響。

的確啊，雖然現在這些黑客技術需要技巧，甚至一些運氣才能實現有針對性的攻擊。

但因為基本上現在所有計算設備都存在潛在的R攻擊可能，所以尋求解決方案還是迫在眉睫的。

目前，JEDEC已經發(fā)布了兩項權宜之計(JEP 300-1和JEP 301-1)，向廣大用戶進行了提醒。

希望會有實實在在的效果吧。

不知道下次R攻擊會不會再起風云呢？