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每當提及固態(tài)硬盤性能問題，總會出現(xiàn)以下一些名詞，順序讀寫、4K隨機、緩外性能等等口徑。

其中爭議頗大可能便是緩外性能了，更是鑒于不久前的西數(shù)SN550緩外性能一事，將原本較為深層硬核的SLC緩存技術，直接推到了風口浪尖。

那么SLC緩存技術到底是什么?所謂緩外緩內速度到底有何差異?緩外性能對于用戶而言，又有多大的意義?

今天，新一期的裝機不求人，就一起聊聊固態(tài)硬盤的緩外寫入。

既然有緩外寫入，自然便會有緩內寫入。想要理解緩內緩外，我們需要從固態(tài)硬盤內部結構和發(fā)展邏輯聊起。

所謂“緩”，指的便是固態(tài)硬盤內部的人為設計的高速緩存空間，也就是slc緩存區(qū)，至于為何要設置這一區(qū)域，實際上是一種性能和價格的妥協(xié)。

我們知道固態(tài)硬盤的核心架構便是閃存顆粒，根據(jù)閃存顆粒內部單位電荷數(shù)組成的不同，分為SLC、MLC、TLC、QLC以及即將問世的PLC，因其內部分別排列有單顆，雙顆，三顆，四顆乃至五顆電荷數(shù)，有所區(qū)分。

根據(jù)電磁學基本原理，顆粒內部電荷數(shù)越少，信號傳輸性能，抗干擾能力便越強，同時在制造成本上也越高，成反比。

于是早期采用SLC顆粒的固態(tài)硬盤，基本賣到了天價，無法實現(xiàn)量產(chǎn)和普及;因而內置更多電荷數(shù)的MLC/TLC/QLC固態(tài)硬盤便成為了市場主流，可這個時候出現(xiàn)了新問題。

隨著電荷數(shù)增加，普及的提速，早期固態(tài)硬盤的寫入性能卻持續(xù)下降，相較于常規(guī)HDD的優(yōu)勢不復存在。

為了解決這個問題，業(yè)界引入了SLC緩存技術。

該技術是通過主控機制和固件，在閃存顆粒內部劃分獨立的空間，模擬SLC顆粒工作模式，在一定空間和時間內部發(fā)揮堪比SLC顆粒的寫入性能，基于獨立空間即OP空間消耗完畢前后的速度不同，便有了緩內寫入，緩外寫入。

雖說當下主流固態(tài)硬盤基本都采用了SLC緩存技術，并存在緩內外性能較大的寫入差異，但從實際體驗和應用場景而言，緩外性能對于大多數(shù)用戶是沒有太大意義的。

其背后主要是源于緩外性能出現(xiàn)的場景和用戶實際應用場景，不匹配不重合，或者更加直白一點，普通用戶很難消耗完緩內空間，而進入緩外空間，迫使固態(tài)硬盤啟動緩外性能。

這一點上，我們需要從固態(tài)硬盤工作機制聊起，常規(guī)應用場景下，例如游戲、辦公，甚至于嚴苛一些的內容創(chuàng)作，后期剪輯等存儲模型下，更加考驗固態(tài)硬盤在4K隨機性能上的表現(xiàn)。

這些存儲模型的突出特點便是細碎，高頻，隨機性較大，比較考驗主控調配，閃存的響應，在負載、順序性能方面需求較小。

即使在順序性能方面需要較大的，諸如素材的拷貝，游戲、電影文件的備份和裝載等任務中，固態(tài)硬盤內置的GC和Trim機制的雙重作用下，性能也會始終維持在一個較為穩(wěn)定的性能。

雖然也會出現(xiàn)一定時間的降低，可隨著該機制的不斷作用，性能又會逐漸回歸到正常性能，直至任務結束。

除非出現(xiàn)極為夸張和不正常的全盤寫入，或是短時間內的多次寫入，強行讓固態(tài)硬盤進入穩(wěn)定態(tài)，展現(xiàn)緩外性能，否則在正常應用場景中，幾乎很難觸達固態(tài)硬盤的穩(wěn)定態(tài)。

既然緩內外性能沒啥實際意義，我們是不是可以直接忽略或放棄呢?

其實，也不能如此武斷，SLC緩存技術的存在，在極大程度上解決了性能和成本的突出矛盾，并隨著該技術的發(fā)展和進步，現(xiàn)階段的SLC緩存近乎能夠，提供日常生活的絕大多數(shù)應用性能的需求。

同時在主控內置GC和Trim機制的全面協(xié)助下，SLC緩存技術更是衍生出了全盤緩存，自定義OP空間等各種分支，可以讓用戶根據(jù)需求，自由定義固態(tài)硬盤性能和容量的取舍，毫不夸張的說，SLC緩存技術是推動固態(tài)硬盤普及的最為重要的一步之一。