有關閃存數據存儲的討論通常都是圍繞NAND技術，但是還有另一種閃存–NOR，在某些情況下它是更好的選擇，特別是作為嵌入式設備。

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與NAND相比，NOR支持更快的隨機讀取操作，并且，它更可靠，功耗更低。但是，對于順序讀取以及寫入和擦除操作，NOR閃存速度較慢，而且價格較高，這就是為什么它僅適用于特定用例的原因。

NOR閃存基礎知識

NOR是一種非易失性存儲技術，它將數據存儲在存儲單元中，類似于NAND存儲芯片。 NOR單元類似于金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，其中電壓決定導電率。 NOR單元與常規MOSFET的主要區別在于，NOR單元包含兩個柵極而不是一個：浮置柵極和控制柵極。

柵極決定電荷如何存儲在單元中。絕緣層將兩個柵極分開，隧道氧化物層將浮動柵極與底層基板分離。隧道氧化物層足夠薄，可允許電子進入和流出浮柵，從而提供了存儲數據的機制。該單元的一端連接到源線或地，另一端連接到位線，用于對單元進行編程。

現在的NOR存儲器有兩種類型：并行和串行。并行NOR(兩者中的較大者)的使用壽命更長，并且引腳數更高。它使用并行地址和數據總線(類似于靜態RAM)，并且比串行NOR提供更高的系統吞吐量，從而縮短系統啟動時間。

串行NOR小于并行NOR，功耗更低，通常成本更低，同時仍具有良好的性能。現在，很多串行NOR模塊都使用串行外圍設備接口總線，這也使得它們通常被稱為SPI NOR。

NOR與NAND閃存

與NAND相比，NOR閃存可更快地執行隨機讀取操作，NOR也通常更可靠并且功耗更低。但是，NOR在串行讀取、擦除和寫入數據時速度較慢，并且生產成本比NAND高，導致每比特成本更高。NAND存儲設備可以提供更高的數據存儲容量，而NOR模塊通常最高可提供2 Gb。

與NAND閃存不同，NOR不使用共享連接，提供直接連接到單個存儲單元，并且具有足夠的地址和數據線來映射整個存儲區。因此，NOR可以提供更快的隨機訪問—到存儲陣列中任何位置。對于NAND閃存，存儲單元串在一起以提高密度，這導致更復雜的讀取操作和更長的隨機訪問時間。

NAND在順序讀取數據以及編程和擦除數據方面速度更快。與NOR相比，它還可以以較小的塊寫入數據，并且擦除數據的機制更加有效。另外，NAND存儲單元小得多，從而導致更高的密度和更低的每比特成本。但是與NOR閃存不同，NAND更容易發生位故障，這就是NAND必須結合糾錯碼等技術的原因。

NOR閃存用例

NAND閃存通常用于數據存儲，而NOR閃存通常被部署作為嵌入式設備，用于執行代碼。NOR閃存可用于工業機器人、醫療設備、科學儀器、IoT設備或便攜式消費產品，例如相機、可穿戴設備或手機。NOR也可能與NAND一起用于智能手機和平板電腦等設備。

NOR設備也可以嵌入到網絡組件中，例如路由器、交換機或網關。汽車行業對NOR嵌入式設備非常感興趣，不僅是因為它們的可靠性，還因為NOR可以承受更大的溫度范圍，使其適合用于引擎蓋下和儀表板上的組件。例如，NOR適用于觸摸屏、信息娛樂組件或高級駕駛員輔助系統。

作為嵌入式設備，NOR可用作任何只讀應用程序的代碼存儲，這些應用程序需要快速隨機訪問和高可靠性，例如引導、操作系統或芯片內執行代碼。NOR提供了快速的初始化時間，這很適合需要快速而可靠的啟動過程的系統。此外，存儲在NOR存儲器芯片的程序可以直接執行，而無需復制到RAM，這對于NAND來說是非常困難的操作。

現在的NOR閃存市場

目前多家供應商都提供NOR閃存模塊，包括Cypress Semiconductor公司、Macronix國際有限公司、Micron Technology公司和Winbond Electronics公司。例如，Cypress提供256 Mb串行NOR閃存模塊，用于汽車行業，其溫度范圍為-40 C至105C。該設備是基于Quad SPI接口，運行電壓為3伏。它的價格在4.12美元至7.08美元之間，具體取決于所購買單位的數量。

雖然我們很難預測NOR的未來，但該閃存技術被證明是嵌入內存到系統的優秀選擇之一，例如消費類移動產品、汽車零部件、IoT設備和其他系統等。快速的隨機訪問讀取和長期的可靠性使其適用于很多用例，特別是隨著移動性和物聯網的不斷擴展。大多數消費者可能不知道NOR的存在，至少在表面上是這樣，但是在未來NOR可能會發揮至關重要的作用。