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積極重奪制造霸主地位,英特爾不玩 “納米游戲”了

企業動態
Intel一直強調,在任何既定的技術節點上,該公司的產品性能會比其他競爭對手推出的同類產品性能更好.

 英特爾(Intel)首席執行官Pat Gelsinger已經受夠了…他代表Intel宣布,10納米工藝還是10納米,但是該節點(代號SuperFin)的下一代,會叫做“Intel 7”,然后再來是“Intel 4”、“Intel 3”,不會出現“納米”這個字眼。而在3之后,Intel著眼于埃米(angstroms,Å)尺寸,接下來的節點會叫做“20A”與“18A”。

以上是5個工藝節點就是Intel到2025年的技術藍圖,該公司也發表了新晶體管架構──Intel稱為“RibbonFET”的一種環繞式柵極(gate all-around,GAA)晶體管變體,還有利用晶圓片背面、命名為PowerVia的新型互連技術;同時,該公司亦宣布正與ASML合作,對極紫外光微(EUV)微影技術的革新做出貢獻。

工藝節點的重新命名,也許看來像是一家嘗試讓所有人忘記他們曾經跌跌撞撞、一度曾失去領導地位的公司在一本正經地胡說八道,但是其競爭對手所使用的節點名稱,卻會讓Intel聽起來很“落伍”,更幾乎是無意義的營銷…所以為何他們不能重新設定命名方法?

Intel一直強調,在任何既定的技術節點上,該公司的產品性能會比其他競爭對手推出的同類產品性能更好;例如其10納米工藝相當于臺積電(TSMC)的7納米工藝。對IC設計業者來說,性能是一個關鍵議題,每一代工藝節點的性能需要有所提升,節點之間的進展速度也要加快。然而,眾所周知Intel錯過了自己訂下的10納米工藝節點量產時程(現在已經全面量產)。

失去(或被認為失去)技術領導地位已經夠糟了,在工藝節點的進展路程中跌跌撞撞也很慘、甚至更不好。一家芯片制造商的客戶各自有產品藍圖,如果他們的供應伙伴讓他們無法達到默認的目標,對他們來說就是考慮換一家新伙伴的時候了。

這解釋了為何Gelsinger自從接手Intel首席執行官,就一再宣示該公司將開始按照常規節奏推進每一代工藝節點,而且每一代節點在性能上都會有顯著的性能提升。能否按時交貨至關重要,如果Intel又遭遇一次無法按時完成工藝節點演進的錯誤,恐怕不只危及現有客戶關系,對該公司力推的全新晶圓代工業務Intel Foundry Services (IFS)也會是致命打擊。

Intel在日前舉辦的全球記者會上宣布了詳細的工藝技術藍圖:

Intel 7將于今年問世,并于2022年量產;

Intel 4將于2022年底問世,并于2023年量產;

Intel 3將于2023年稍晚問世,意味著將于2024年量產;

Intel 20A將于2024年初問世;

Intel 18A預計于2025年初問世。

 

此外Intel也列出了對應以上工藝節點的處理器產品藍圖。舉例來說,Intel 7工藝將用于生產2021年客戶端設備Alder Lake處理器,以及預計2022年量產的Sapphire Rapids數據中心處理器。Intel 4則將用以生產客戶端處理器Meteor Lake,以及數據中心處理器Granite Rapids

Intel表示,其Intel 4工藝將全面采用EUV微影;該公司將繼續優化FinFET技術至Intel 3,從20A工藝開始則將轉換至GAA晶體管架構。而盡管業界幾乎所有開發先進工藝節點的廠商都在期待由FinFET轉向GAA,Intel自家的GAA技術被命名為RibbonFET,如下圖所示。

積極重奪制造霸主地位,英特爾不玩 “納米游戲”了

此外Intel也提及了新互連技術PowerVia (參考下圖)。該公司表示,傳統上互連導線是放置于晶體管頂端,雖然一直以來運作良好,但在新架構更小尺寸上,其效率也隨之降低。PowerVia是將互連放置于芯片下方,計劃于Intel 3工藝開始試驗,預計將于Intel 20A準備好商業化。

積極重奪制造霸主地位,英特爾不玩 “納米游戲”了

 

Intel表示正與Qualcomm合作,以20A工藝開發主流智能手機芯片平臺;如果合作一切順利,Qualcomm的背書會發揮重要作用。Intel已經嘗試在智能手機市場站穩腳跟好一段時間,但成效不彰。

而為了表明對發展制造技術的承諾,Intel也宣布正與設備業者ASML合作,定義、建立與部署更精練的高數值孔徑(high-NA) EUV技術,并聲稱該公司將會是業界首家量產高數值孔徑EUV系統的業者,其該系統將在18A工藝節點為RibbonFET的改善做出貢獻。

多年來,Intel一直標榜自家在新一代封裝技術方面處于領先地位,而封裝技術對于半導體組件性能的進一步提升扮演關鍵角色。該公司表示,其IFS部門已經與云端巨擘AWS簽署合作協議,后者將成為其先進封裝技術的第一位客戶。

節點命名方式

歷史上,最小晶體管柵極與工藝節點命名之間通常存在某種程度關系;但是當這兩者之間的關系完全被打破,就會產生一些爭議。有人說,那是發生在大約2010年問世的32納米節點,而Intel則表示應該要追溯至1997年,當時半導體工藝微縮至0.18微米。無論最小晶體管柵極與節點命名之間的距離是何時越拉越遠,現在兩者之間已經沒有關系。

市場研究機構Tirias Research分析師Keven Krewell表示,這也就是為何“工藝節點數字的重設已經逾時;Intel一直在做14納米+++的東西,但這對Intel以外的其他人來說是沒有意義的。臺積電則是創建了像是8納米這樣的中間節點,而這意味著很難將晶體管與晶體管進行詳細的比較。”

針對Intel在接下來5個節點的規劃,Krewell則表示:“該技術藍圖相當激進,但Intel感覺他們已經準備好迎接這樣的大躍進;每一個新節點都綁了特定產品,所以Intel的表現如何將會是清晰可見的。而Qualcomm采用20A工藝還是未來幾年之后的事,該公司愿意公開承認令人印象深刻;”他也指出,封裝技術是很重要的一個訊息,特別是Intel贏得AWS這家客戶。

在Intel于美國時間7月26日下午舉行的該場記者會上,Gelsinger在接受媒體提問時,被問到了AWS與Qualcomm以外的其他客戶。對此,他表示與Qualcomm的合作證明IFS客戶將會同步取得與Intel以內部使用為目的所開發、最先進的制造技術;而在Qualcomm之外,該公司也正在與其他客戶洽談,但不方便透露任何名稱。

Gelsinger僅透露,那些客戶有的來自工業領域,有的來自汽車領域,也有的是需要代工伙伴的半導體業者──包括一些在傳統上是競爭對手的廠商;他充滿熱情地表示:“IFS已經投入競賽!”

責任編輯:趙立京 來源: 網絡
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