目前，5G正進入加速發展期。5G將深入各行各業，進一步解決物與物的聯接問題，促進產業的數字化轉型。通信產業每10年發展一代。相比于之前的通信技術，5G業務需求已發生重大變化，這也使得通信芯片面臨新的挑戰。

首先，由于數據規模急劇增長，提升計算力成為發展5G的重中之重。5G海量物聯網的感知層、連接速率的提升和時延的降低，都將極大地驅動數據量增長。因此，通信芯片除了要具備通信功能外，還需要擁有強大的計算能力，以滿足云網融合下網絡架構深刻變革的需求。

其次，芯片設計復雜度不斷增加。5G通過復雜的編碼來實現頻譜利用率的提升，多通道、高頻率和大帶寬共同推動數據吞吐量的增加。5G多樣化的應用場景、對兼顧低功耗的訴求都使得芯片設計變得非常復雜。

最后，受益于5G網絡，面向邊緣計算的高性能處理器和光器件發展前景廣闊，但國內芯片供應鏈仍有不足，產業規模商用和產品性能方面與國外企業仍有較大差距。

挑戰與機遇并存，5G發展在帶來挑戰的同時，也推動了國內半導體創新進步。

半導體技術創新發展趨勢

5G帶來的巨大的存儲市場需求，使中國成為全球大的半導體消費市場。半導體產業是我國科技核心支撐產業，而具有高功率密度、高效率和低功耗優勢的氮化鎵（GaN）電子器件，被稱為“第三代半導體”核心，是實現5G通信、萬物互聯的關鍵要素。

第三代半導體技術在導熱率、抗輻射能力、擊穿電場、電子飽和速率等方面優點突出，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域有廣闊的應用前景。

全球第三代半導體產業格局為美、日、歐三足鼎立，其中，美國擁有較為完整的產業鏈，尤其是在碳化硅領域，美國為全球獨大，歐盟的主要優勢則集中在外延環節、襯底、器件環節，日本在設備和模塊開發等方面領先。

我國與美、歐、日等發達國家第一代和第二代半導體技術方面還存在較大差距，但在第三代半導體上，經過十年來的努力，我國與這些國家的差距相對較小，同時國內市場容量大，第三代半導體技術前景可期。

氮化鎵是一種商業應用相對較新的寬帶隙復合半導體。它的功率效率、功率密度和處理更寬頻率范圍的能力，使其非常適合大規模MIMO基站。氮化鎵具有一些良好特性，能更好地支持電子產品輕量化。

●擊穿電場強度高。這極大提高了器件的電流密度和耐壓容量，降低導通損耗。

●帶隙寬、禁帶寬度大。這意味著氮化鎵可以實現高功率的應用。

●熱導率高。氮化鎵散熱性能優異，器件集成度和功率密度高于傳統元器件。

●電子飽和漂移速度快，可在更高的頻率下工作。

●介電常數小，可降低集成電路的漏電電流，降低導線之間的電容效應。

●化學性能穩定。

●硬度高。

政策支持推動國內產業繁榮

國家對于第三代半導體產業發展提供了持續不斷的政策方面的支持。早在2016年，國務院就推出了《“十三五”國家科技創新規劃的通知》，其中首次提到要加快第三代半導體芯片技術與器件的研發；2019年6月商務部及發改委在鼓勵外商投資名單中增加了支持引進SiC超細粉體外商企業；2019年11月工信部印發《重點新材料首批次應用示范指導目錄》，其中GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC外延片，SiC單晶襯底等第三代半導體產品進入目錄；2019年12月國務院在《長江三角洲區域—體化發展規劃綱要》中明確要求加快培育布局第三代半導體產業，推動制造業高質量發展。

政策支持下，國內半導體產業不斷發展。當前，我國已經形成了長三角、珠三角、京津冀、閩三角等多個第三代半導體產業集群，尤其是長三角和珠三角的實力相對雄厚，成為我國兩大國家第三代半導體科技創新中心。

以江蘇省為例，江蘇省“十四五”規劃將第三代半導體作為布局重點，并培育出了納微科技、英諾賽科、中科漢韻，以及華瑞微集成電路、蘇州能訊高能半導體等多家優秀企業。

而在珠三角，第三代半導體技術同樣是廣東“十四五”規劃重點。廣東省明確將設立首期規模達200億元的半導體及集成電路產業投資基金，支持半導體和集成電路領域的技術創新，打造以廣州、深圳、珠海為核心的兩千億級芯片設計產業集群。其中，深圳作為國家級第三代半導體科技創新中心，目前已經成立了第三代半導體器件重點實驗室等一批重要平臺，成為國內半導體產品銷售、集散和設計中心。