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大約是從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開始緩慢漲價。一開始的漲價幅度并不是特別大，許多人并沒有在意，也沒有太多人去解讀。

但是隨著時間的推移，到了2016年第三第四季度，漲價的幅度逐漸增大，大幅超過許多人的心理預(yù)期價位時，有人開始質(zhì)疑了：閃存產(chǎn)品為什么漲價如此厲害?然而，存儲產(chǎn)品的漲價風波并沒有就此停下腳步，進入2017年。無論是閃存大戶固態(tài)硬盤，還是內(nèi)存條閃存卡等產(chǎn)品線，依舊在漲價的路上越走越遠。

那么，此輪存儲產(chǎn)品線的漲價風波到底緣何而起?此輪漲價風波到底何時方能風平浪靜?

漲價風波緣起之一：技術(shù)冒進，量產(chǎn)不足

近年來，隨著固態(tài)硬盤的普及，主流的存儲產(chǎn)品，幾乎都開始以閃存作為主要的存儲介質(zhì)，可能唯一的區(qū)別在于是易失性還是非易失性。

在過去的一年，隨著固態(tài)硬盤加入主流存儲產(chǎn)品序列，各大閃存原廠開始擴大園區(qū)，加速產(chǎn)能，以期推出更多的原廠閃存以供給下游新生的固態(tài)硬盤存儲廠商對于閃存原料的需求。然而，無論是擴大園區(qū)還是加速產(chǎn)能，幾乎都無法滿足，在去年開始爆發(fā)性增長的對于閃存原料的需求，以及隨著固態(tài)硬盤走向平民化帶來的利潤率下降問題。

各大閃存原廠開始從閃存技術(shù)方面進行革新，先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒，提高量產(chǎn)的同時還能提高利潤率，然而這一招并不能從根基上解決產(chǎn)能不足問題。于是，全行業(yè)開始從2D NAND制程轉(zhuǎn)向3D NAND制程，力圖從提高單位閃存顆粒的***容量上著手，間接提高整體閃存的出貨量，以滿足整個市場對于閃存原料的需求。

SLC/MLC/TLC三種層疊示意圖

在這里簡單介紹2D NAND和3D NAND之間的區(qū)別和聯(lián)系。2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房，這些平房整齊排列。但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加

3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠遠高于平房。因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

從結(jié)果而言，采用這一技術(shù)的確是能夠快速有效的解決閃存量產(chǎn)不足的問題。然而，眾多原廠卻忽視了技術(shù)瓶頸，對于3D NAND技術(shù)下閃存切割的良品率過于樂觀，致使在2D NAND轉(zhuǎn)至3D NAND的過程中，遠遠達不到預(yù)期產(chǎn)量，進一步加劇了閃存供應(yīng)不足的現(xiàn)實局面，更何況在2D轉(zhuǎn)3D技術(shù)的過程中，所有的機械、人工、廠房的投入，不可能因為技術(shù)瓶頸而放棄研發(fā)，重新轉(zhuǎn)回2D,更加劇了2D NAND的減產(chǎn)，引發(fā)全行業(yè)的閃存缺貨。

供不應(yīng)求，則必然導(dǎo)致的結(jié)果是存儲廠商采購成本的提高，從而引發(fā)終端產(chǎn)品的價格一路飛漲。

漲價緣起之二：大容量存儲成為數(shù)碼標配

如果說，技術(shù)冒進引發(fā)量產(chǎn)不足是以固態(tài)硬盤為代表的存儲產(chǎn)品漲價的內(nèi)因的話，那么在2016年開始流行的數(shù)碼產(chǎn)品配備大容量存儲器則可以說是，引發(fā)存儲產(chǎn)品漲價的***外因了。

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眾所周知，在全世界范圍內(nèi)，能夠獨立生產(chǎn)和封裝閃存原料的所謂原廠僅有***的幾家，然而這幾家的閃存原料，卻要供應(yīng)包括傳統(tǒng)的存儲產(chǎn)品，例如固態(tài)硬盤、閃存卡、優(yōu)盤甚至部分內(nèi)存，還要供應(yīng)給量級不斷攀升的手機、平板電腦、超極本以及一體機等新興數(shù)碼產(chǎn)品。

鑒于此類新興數(shù)碼產(chǎn)品，大都是一體化設(shè)計無法實現(xiàn)外置存儲功能，大約從去年開始，對于大容量的內(nèi)部存儲器的需求，不斷加碼。高達128GB甚至256GB內(nèi)置存儲容量，成為了這些新興數(shù)碼產(chǎn)品的標配，更成為了某些科技公司利潤率的重大保障。

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同時，此類新興數(shù)碼產(chǎn)品的銷量和熱度的攀升，利潤率的上升，給予原廠更多的價格回饋，因而更多的原廠愿意將閃存原料優(yōu)先供給給手機平板以及超極本等客戶，這就進一步加劇了固態(tài)硬盤等傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品閃存原料的缺失。

閃存原料的傾斜，引發(fā)的連鎖效應(yīng)，倒逼存儲廠商不得不上調(diào)價格維系利潤。

漲價緣起之三：閃存技術(shù)引發(fā)服務(wù)器市場的青睞

在傳統(tǒng)的存儲行業(yè)，一直存在著消費級市場和服務(wù)器級市場。一般來說，新興的存儲技術(shù)在消費級存儲市場得到了充分驗證，保證技術(shù)上的穩(wěn)定后，服務(wù)器級市場便會開始大規(guī)模應(yīng)用。

在固態(tài)硬盤技術(shù)處于2D NAND時代，服務(wù)器級市場幾乎很少使用固態(tài)硬盤作為存儲介質(zhì)，畢竟服務(wù)器市場的負載壓力和容量要求，非一般的固態(tài)硬盤能夠滿足。

但是，隨著近年來，Intel的3D X-POINT的正式問世，也就是Optane敖騰等服務(wù)器級市場存儲產(chǎn)品的登場，越來越多的尚未應(yīng)用以閃存為存儲介質(zhì)的服務(wù)器級市場，開始從去年開始慢慢進行產(chǎn)品的更新?lián)Q代，將老舊的服務(wù)器級機械硬盤替下，換上技術(shù)更為先進，速度更快，性能更穩(wěn)定的固態(tài)硬盤。

就在不久前，Intel官方還在公開場合宣布，隨著3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用(也就是服務(wù)器級市場)的固態(tài)硬盤，而不是低成本的消費級固態(tài)硬盤。

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服務(wù)器級市場的對于閃存顆粒需求的釋放，無疑給身處缺貨困惱的消費級存儲市場又一重擊。眾所周知，服務(wù)器級市場鑒于其服務(wù)定位及產(chǎn)品功能，在采購方面的議價能力遠高于消費級存儲市場，對于閃存原料的控制力，更是一眾消費級存儲廠商不可同日而語的。在高價采購閃存原料的情況下，固態(tài)硬盤等存儲產(chǎn)品漲價也就不難理解了。

漲價風波何時能止：2018年年初有望回落

既然存儲產(chǎn)品瘋狂漲價的根源在于閃存顆粒的量產(chǎn)不足，那么唯有等到所有的閃存原廠在3D制程上實現(xiàn)了完全突破，幾大原廠能夠在同一體系下進行競爭，存儲產(chǎn)品漲價的風波才有可能停歇，正如同當下神州大地瘋狂上漲的房價，唯有政府敢于丟卒保車，方破解全局。

那么，各大閃存原廠的3D制程都發(fā)展到哪一階段了呢?根據(jù)公開消息，首先是Intel，不久前發(fā)布了全新針對服務(wù)器級市場的，基于3D Xpoint產(chǎn)品，并在2017年全年加緊供貨服務(wù)器級市場;接著是三星，三星***的Fab18閃存工廠，不久將要投入量產(chǎn)，2017年將是量產(chǎn)的關(guān)鍵之年;同樣的東芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等閃存工廠都將在2017年進行量產(chǎn)。

幾乎所有的閃存原廠都將在2017年開始量產(chǎn)基于***堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品，量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過最終封裝和分發(fā)到存儲廠商手中，然后經(jīng)由存儲廠商進行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場，可能還會經(jīng)歷一段時間。根據(jù)供應(yīng)鏈一般的流程以及筆者個人觀點預(yù)計，存儲產(chǎn)品的價格回落最快得到2017年年底到2018年年初，甚至可能延期到2018年***季度。

任何電子產(chǎn)品，受制于上下游制程或是工藝，都會在一段時間內(nèi)呈現(xiàn)反常的大規(guī)模漲價或是降價，這是正常的市場行為表現(xiàn)。作為消費者的我們，不用太過在意所謂漲價和降價，所有的購買行為應(yīng)當根據(jù)真實需求。正所謂，塞翁失馬，焉知非福。

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